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| 23일 (현지) 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 열린 '삼성 테크 데이 2019'에서 삼성전자 시스템LSI 사업부 강인엽 사장이 기조 연설을 하고 있다./사진제공=삼성전자 |
삼성전자는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에 위치한 미주법인 사옥에서 고객사·파트너사 상대로 신제품과 차세대 기술 등을 소개하는 '삼성 테크데이 2019'를 열고 이들 신제품을 선보였다.
'삼성 테크 데이'는 해마다 삼성전자의 반도체 신기술을 선보이는 행사로 올해 세 번째로 열렸다.
이날 삼성전자는 시스템 반도체 부문에서 2개 NPU(신경망처리장치) 코어로 인공지능 연산 성능을 대폭 높인 고성능 모바일AP '엑시노스(Exynos) 990'과 5G 솔루션 신제품 '엑시노스 모뎀 5123'을 공개했다.
두 제품은 최신 7나노 EUV(극자외선) 공정 기반 차세대 프리미엄 모바일 솔루션으로 2개의 NPU 코어, 트라이(3) 클러스터의 효율적 CPU 구조, 최신 그래픽처리장치(GPU), 8개 주파수 묶음(CA) 등 다양한 기술을 자랑한다.
특히 엑시노스 990에는 2세대 자체 NPU 코어 2개와 디지털 신호처리기(DSP)를 탑재해 인공지능(AI)가 초당 10조 회 이상 연산할 수 있는 성능을 갖췄다.
강인엽 삼성전자 시스템 LSI사업부문 사장은 "우리 일상에 다양한 AI 서비스와 5G 통신이 빠르게 적용되고 있다"며 "차세대 프리미엄 모바일 솔루션 '엑시노스 990'과 '엑시노스 모뎀 5123'은 AI, 5G 시대에 최적화된 혁신적인 제품"이라고 말했다.
메모리반도체 부문에서는 '3세대 10나노급(1z) D램'과 '7세대(1yy단) V낸드 기술', 'PCIe Gen5 SSD 기술', '12GB uMCP' 등 신제품과 개발 중인 차세대 기술의 사업화 전략을 대거 공개했다.
삼성전자는 지난 9월부터 양산한 1z급 D램을 바탕으로 내년 초 최고 성능·최대 용량의 D램 라인업을 공급할 계획이다. 또한 역대 최대 용량인 512GB의 DDR5 D램을 비롯해 초고성능·초고용량 차세대 메모리 솔루션을 제공한다.
아울러 삼성전자는 지난 7월 6세대(128단) V낸드와 SSD를 업계 최초로 양산한 데 이어 용량과 성능을 2배 이상 향상하는 7세대(1yy) V낸드 기술의 사업화 전략도 공개했다.
6세대와 마찬가지로 7세대 역시 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정을 적용할 계획이다. 7세대는 6세대보다 더욱 개선된 적층 기술과 칩 면적을 최소화할 수 있는 기술을 갖췄으며 이르면 내년에 선을 보일 예정이다.
PCIe Gen5 NVMe SSD는 지난 9월 출시한 PCIe Gen4 NVMe SSD보다 성능을 최대 2배 이상 높일 수 있다. 기존 SATA SSD보다는 최대 25배 이상 빠르게 읽고 쓸 수 있도록 현재 개발 단계에 있다.
12GB LPDDR4X uMCP(UFS-Based Multi Chip Package)는 기존 8GB uMCP의 용량 한계를 극복한 제품이다. 삼성전자 관계자는 "하이엔드와 미드엔드 스마트폰 시장까지 12GB 모바일 D램 시대를 연 것"이라고 말했다.
삼성전자는 올해 2월 '16Gb LPDDR4X' 기반 모바일 D램 패키지 양산에 이어 지난 9월부터 업계 최대 용량 '24Gb LPDDR4X(1y)' 제품을 생산해 업계에서 10GB와 12GB의 대용량 uMCP 제품을 유일하게 공급할 수 있게 됐다.
한진만 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 D램의 공정 미세화·속도 고성능화에 따른 공통 과제인 신뢰성 확보와 소비전력 절감 방안에 대한 기술 개발 전략을 소개했다. 그는 또 초격차 V낸드 기술 개발의 의미, 고용량화에 따른 효율성 제고, QLC(쿼드레벨셀)를 포함한 솔루션 기술 발전 방향과 난제를 해결하기 위한 삼성의 개발 방향을 제시하고 산업 전반에 걸친 협업 강화를 제안했다.
최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장은 개회사에서 "AI·5G·클라우드/엣지 컴퓨팅·자율주행 등 빠르게 변화하는 시장 추세에 발맞춰 최적화된 차세대 반도체 솔루션을 선보이게 돼 기쁘다"며 "앞으로도 더욱 혁신적인 반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 열어 나가는데 기여할 것"이라고 말했다.
