송인택 DGIST 교수(오른쪽)가 '제9회 한국도레이 펠로십'에 선정돼 기념촬영을 하고 있다.(사진제공=DGIST)

[아시아뉴스통신=윤석원 기자] DGIST(총장 이건우)는 화학물리학과 송인택 교수가 한국도레이과학진흥재단이 주관하는 '제9회 한국도레이 펠로십'에서 화학·재료 기초 분야 신진 과학자로 최종 선정됐다고 밝혔다. 시상식은 21일 서울 마포구 서울가든호텔에서 개최됐다.

한국도레이 펠로십은 화학 및 재료 분야에서 창의적이고 발전 가능성이 높은 과제에 도전하는 우수 신진 과학자를 발굴해 전폭적으로 지원하는 권위 있는 프로그램이다. 이번 최종 선정으로 송인택 교수는 향후 3년간 매년 5천만원씩, 총 1억5천만원의 연구비를 지원받아 혁신적인 기초 과학 연구에 더욱 매진하게 된다.

송인택 교수는 이번 펠로십에서 '금속 제어 기반 수소결합 배위고분자의 전자-양성자 전도 특성 규명'이라는 주제로 기초 연구 과제에 선정됐다. 양성자와 전자가 함께 결합하여 작동하는 이른바 '혼합 전도체'는 기존의 단일 전도체(전자 전도체 또는 양성자 전도체)만으로는 구현하기 어려웠던 새로운 물리적·화학적 거동을 가능하게 만들어, 차세대 정보 전자 산업을 이끌 첨단 신소재로 주목받고 있다.

송 교수는 유기물과 금속 이온이 규칙적으로 얽혀 결합한 다공성 물질인 '수소결합 배위고분자(HBCP)'의 설계와 조성을 체계적으로 제어하는 심도 있는 연구를 수행한다. 이를 통해 전자와 양성자가 소재 내에서 이동할 때 발생하는 복잡한 상호작용을 정밀하게 분석하고, 나아가 두 입자의 결합(PEC) 현상을 능동적으로 통제하고 제어할 수 있는 근본적인 원리를 확립하는 것이 이번 과제의 핵심 목표다.

해당 연구는 단순한 기초 학문적 발전을 넘어 미래 산업 기술에 미치는 파급력 또한 클 것으로 전망된다. 양성자-전자 혼합 전도 특성이 명확히 규명되면, 향후 인간의 신경이나 뇌의 작동 원리를 모방하여 적은 에너지로도 고도의 연산을 수행하는 '생체모방형 전자소자'를 비롯해 고기능성 에너지 변환 소재 등 다양한 첨단 기기의 핵심 원천기술로 폭넓게 응용될 수 있다.


DGIST 화학물리학과 송인택 교수는 "이번 펠로십 선정을 통해 그동안 연구실에서 꾸준히 땀 흘려온 수소결합 배위고분자 연구의 방향성과 잠재적 가치를 다시 한번 인정받게 돼 매우 뜻깊다"며 "양성자와 전자가 하나의 소재 안에서 만들어내는 새로운 전도 현상의 비밀을 명확히 규명하고, 실질적인 산업 응용으로 이어질 수 있는 혁신적인 원천기술을 확보하는 데 최선을 다하겠다"고 수상 소감을 밝혔다.

한편, DGIST는 소속 신진 연구자들이 창의적이고 도전적인 기초 과학 분야의 연구에 몰입할 수 있도록 다각적인 지원을 아끼지 않고 있으며, 앞으로도 과학 기술의 근본적인 난제를 해결하고 국가 미래 산업 경쟁력에 기여할 탁월한 연구 성과를 지속적으로 창출해 나갈 계획이다.

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